本部分為ＧＢ／Ｔ１５９７２的第４０部分。本部分代替ＧＢ／Ｔ１５９７２．４—１９９８《光纖總規(guī)范　第４部分：傳輸特性和光學(xué)特性試驗(yàn)方法》第４章。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了光纖的衰減特性試驗(yàn)方法，確立了對(duì)試驗(yàn)裝置、注入條件、程序、計(jì)算方法和結(jié)果的統(tǒng)一要求。本部分適用于對(duì)Ａ 類多模光纖和Ｂ類單模光纖的測量和成品光纖光纜的商業(yè)性檢驗(yàn)。本部分與ＧＢ／Ｔ１５９７２．４—１９９８第４章相比主要變化如下：
———原正文中對(duì)每一種試驗(yàn)方法的詳細(xì)描述分別用附錄的形式給出（見附錄Ａ、附錄Ｂ、附錄Ｃ 和附錄Ｄ）；
———截?cái)喾ǎ粒鳖惗嗄９饫w的注入條件中增加了“表Ａ．１ 芯軸直徑實(shí)例”（見Ａ．１．３．１．２）；
———截?cái)喾ㄖ性黾恿耍粒差悺ⅲ粒?類和Ａ４ 類突變型折射率分布多模光纖的注入裝置和注入條件（見Ａ．１．４）；
———截?cái)喾ㄖ性黾恿瞬ㄩL應(yīng)校準(zhǔn)至±１０ｎｍ 內(nèi)的要求（見Ａ．１．５）；
———相關(guān)內(nèi)容的敘述做了一些修改。