本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅外延層載流子濃度汞探針電容電壓測量方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于同質(zhì)的硅外延層載流子濃度測量。測量范圍為:4×1013cm-3~8×1016cm-3。
本標(biāo)準(zhǔn)測試的硅外延層的厚度必須大于測試偏壓下耗盡層的深度。
本標(biāo)準(zhǔn)也可適用于硅拋光片的載流子濃度測量。