本標準規(guī)定了微電子技術用貴金屬可焊漿料的可焊性、耐焊性測定方法。
本標準適用于微電子技術用貴金屬可焊漿料的可焊性、耐焊性測定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法　可焊性、耐焊性試
驗》。
本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．７—１９９８相比，主要有如下變動：
———范圍去除“非貴金屬漿料可焊漿料亦可參照使用”內容；
———將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法可焊性、耐焊性測定；
———將原標準厚膜隧道燒結爐，溫度范圍為室溫～１０００℃。改為：厚膜隧道燒結爐，最高使用溫度為１０００℃，控制精度在±５℃；
———將原標準控制焊料熔融溫度為２３５℃±５℃改為：根據不同的焊料確定溫度；
———將原標準“浸入和取出速度為（２５±５）ｍｍ／ｓ”刪除；
———將原標準“導體浸入焊料界面深度為２ｍｍ”改為“導體浸入焊料界面深度為２ｍｍ 以下”；
———將原標準“浸入時間為５ｓ±１ｓ。浸入時間為１０ｓ±１ｓ”改為“浸入時間根據不同漿料”確定；
———將原標準８．１．１中“在放大鏡下觀察，若基片印刷圖案導電膜接受焊錫的面積不小于９５％，則為可焊性好，小于９５％為可焊性差”修改為“在放大鏡下觀察，若基片印刷圖案導電膜接受焊
錫的面積不小于圖案面積的９／１０，則為可焊性好，小于９／１０為可焊性差”；
———將原標準８．１．２中“基片印刷圖案若有５％未焊的面積集中在某一角，則可焊性差”修改為“基片印刷圖案若有１／５未焊面積，則可焊性差”。