本文件規(guī)定了非本征硅單晶和鍺單晶體內(nèi)載流子復(fù)合過(guò)程中非平衡少數(shù)載流子壽命的光電導(dǎo)衰減測(cè)試方法。本文件適用于非本征硅單晶和鍺單晶中非平衡少數(shù)載流子壽命的測(cè)試。直流光電導(dǎo)衰減脈沖光法可測(cè)試具有特殊尺寸的長(zhǎng)方體或圓柱體樣品，測(cè)試硅單晶的最短壽命值為50 μs，測(cè)試鍺單晶最短壽命值為10μs。高頻光電導(dǎo)衰減法可測(cè)試棒狀或塊狀樣品，測(cè)試硅單晶和鍺單晶的最短壽命值為10μs。注：直流光電導(dǎo)衰減方法有兩種：直流光電導(dǎo)衰減脈沖光法和直流光電導(dǎo)衰減斬波光法（見附錄A）。