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鍺單晶電阻率直流四探針測量方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號: GB/T 26074-2010
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位: 南京中鍺科技股份有限公司、北京國晶輝紅外光學(xué)科技有限公司、云南臨滄鑫圓鍺業(yè)股份有限公司
發(fā)布日期: 2011-01-10
實施日期: 2011-10-01
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更新日期: 2025年02月25日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直流四探針法測量鍺單晶電阻率的方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于測量試樣厚度和從試樣邊緣與任一探針端點的最近距離二者均大于探針間距的4倍鍺單晶的體電阻率以及測量直徑大于探針間距的10倍、厚度小于探針間距4倍鍺單晶圓片(簡稱圓片)的電阻率。

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