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化合物半導(dǎo)體拋光晶片亞表面損傷的反射差分譜測試方法

標 準 號： GB/T 26070-2010
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位： 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
發(fā)布日期： 2011-01-10
實施日期： 2011-10-01
點 擊 數(shù)：
更新日期： 2025年02月25日
內(nèi)容摘要

本標準規(guī)定了Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測試方法。
本標準適用于GaAs、InP(GaP、GaSb可參照進行)等化合物半導(dǎo)體單晶拋光片亞表面損傷的測量。

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