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光纖通信用半導(dǎo)體激光器芯片技術(shù)規(guī)范 第3部分：光源用電吸收調(diào)制型半導(dǎo)體激光器芯片

標(biāo) 準(zhǔn) 號： SJ/T 11856.3-2022
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位： 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院 等
發(fā)布日期： 2022-09-30
實(shí)施日期： 2023-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2023年10月23日
內(nèi)容摘要

本文件規(guī)定了光纖通信用電吸收調(diào)制型半導(dǎo)體激光器芯片的術(shù)語和定義、縮略語、技術(shù)要求、檢驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則、包裝、標(biāo)志、產(chǎn)品說明書和貯存等。
本文件適用于 10Gbaud（NRZ）、25Gbaud（NRZ/PAM4）和 50Gbaud（NRZ/PAM4）電吸收調(diào)制型半導(dǎo)體激光器芯片（EML）

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