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微束分析 分析電子顯微術(shù) 線狀晶體表觀生長方向的透射電子顯微術(shù)測定方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號: GB/T 43610-2023
替代情況:
發(fā)布單位: 國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位: 北京科技大學(xué)
發(fā)布日期: 2023-12-28
實(shí)施日期: 2024-07-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2024年02月21日
內(nèi)容摘要

本文件描述了用透射電子顯微術(shù)測定線狀晶體表觀生長方向的方法。
本文件適用于通過各種方法制備的所有種類的線狀晶體材料,也適用于測定在鋼、合金和其他材料中析出的類似于棒狀或多邊形第二相顆粒的一個軸的方向。受透射電子顯微鏡(TEM)的加速電壓和樣品自身等條件的制約,本文件適用于直徑(或厚度或?qū)挾?為幾十納米到一百納米左右的晶體材料。本文件不適用于測定折疊、扭曲、旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的線狀晶體。
注: 在本文件中,線狀晶體、帶狀晶體、針狀第二相顆粒等均屬于廣義上的線狀晶體。

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