本文件規(guī)定了電容?電壓法測試硅外延層載流子濃度的方法，包括汞探針電容?電壓法和無接觸電容?電壓法。本文件適用于同質(zhì)硅外延層載流子濃度的測試，測試范圍為4×1013 cm-3～8×1016 cm-3，其中硅外延層的厚度大于測試偏壓下耗盡層深度的兩倍。硅單晶拋光片和同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測試也可以參照本文件進行，其中無接觸電容?電壓法不適用于同質(zhì)碳化硅外延片載流子濃度的測試。