GB/T 4937的本部分是為了測(cè)定半導(dǎo)體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性。本部分適用于集成電路和半導(dǎo)體分立器件。中子輻照主要針對(duì)軍事或空間相關(guān)的應(yīng)用，是一種破壞性試驗(yàn)。
試驗(yàn)?zāi)康娜缦拢?br /> a）〓檢測(cè)和測(cè)量半導(dǎo)體器件關(guān)鍵參數(shù)的退化與中子注量的關(guān)系；
b）〓確定規(guī)定的半導(dǎo)體器件參數(shù)在接受規(guī)定水平的中子注量輻射之后是否在規(guī)定的極限值之內(nèi)（見(jiàn)第4章）。