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微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）技術(shù) 硅基MEMS微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度試驗(yàn)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 42895-2023
替代情況：
發(fā)布單位： 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 北京大學(xué)、中機(jī)生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院、北京燕東微電子科技有限公司 等
發(fā)布日期： 2023-08-06
實(shí)施日期： 2023-12-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2023年09月24日
內(nèi)容摘要

本文件描述了硅基MEMS加工所涉及的微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度原位試驗(yàn)的要求和試驗(yàn)方法。
本文件適用于采用微電子工藝制造的微結(jié)構(gòu)彎曲強(qiáng)度測(cè)試。

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