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硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 24574-2009
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2025年03月03日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了硅單晶中Ⅲ-Ⅴ族雜質(zhì)的光致發(fā)光測(cè)試方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于低位錯(cuò)單晶硅中導(dǎo)電性雜質(zhì)硼和磷含量的同時(shí)測(cè)定。
本標(biāo)準(zhǔn)用于檢測(cè)單晶硅中含量為1×1011at·cm-3~5×1015at·cm-3的各種電活性雜質(zhì)元素。?

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