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硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的測(cè)定 直排四探針?lè)?/span>

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 14141-2009
替代情況： 替代 GB/T 14141-1993
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 寧波立立電子股份有限公司、南京國(guó)盛電子有限公司、信息產(chǎn)業(yè)部專(zhuān)用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
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更新日期： 2025年03月12日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用直排四探針測(cè)量硅外延層、擴(kuò)散層和離子注入層薄層電阻的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于測(cè)量直徑大于15.9mm 的由外延、擴(kuò)散、離子注入到硅片表面上或表面下形成的薄層的平均薄層電阻。硅片基體導(dǎo)電類(lèi)型與被測(cè)薄層相反。適用于測(cè)量厚度不小于0.2μm 的薄層,方塊電阻的測(cè)量范圍為10Ω~5000Ω。該方法也可適用于更高或更低阻值方塊電阻的測(cè)量,但其測(cè)量精確度尚未評(píng)估。?

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