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高分辯率X射線衍射測(cè)量GaAs襯底生長(zhǎng)的AlGaAs中Al成分的試驗(yàn)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： GB/T 24576-2009
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局 中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位： 信息產(chǎn)業(yè)部專用材料質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所
發(fā)布日期： 2009-10-30
實(shí)施日期： 2010-06-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2025年02月26日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用高分辨X 射線衍射測(cè)量GaAs襯底上AlGaAs外延層中Al含量的試驗(yàn)方法。
本方法適用于在未摻雜GaAs襯底<001>方向上生長(zhǎng)的AlGaAs外延層中Al含量的測(cè)定,使用
本方法測(cè)量Al元素含量時(shí),AlGaAs外延層厚度應(yīng)大于300nm。

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